パラタングステン酸アンモニウムの半導體
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メタタングステン酸（AMT）自體は、半導體特性を持っていないため、パラタングステン酸アンモニウムの半導體が存在しない、それは、三酸化タングステン（WO 3）半導體、半導體?電子産業の製造のためだけでなく、WO3の生産にパラタングステン酸アンモニウムを指し、金屬タングステンの重要な中間生成物。
エレクトロニクス産業で使用されるパラタングステン酸アンモニウムは、コンデンサ、半導體素子とシールドとしてフィルム基板を用意しています。タングステンの供給源（例えば、クエン酸及び硫酸ナトリウムのような）他の原料の特定の割合を添加したタングステン酸化物半導體として、多くの場合、メタタングステン酸アンモニウム。WO3は、その優れたエレクトロクロミック、フォトクロミックガスフォトクロミック特性、特別な性能、光觸媒特性、ガス等と関心の六角形を有するη型半導體材料、立方體および他の対稱構造であります。
半導體デバイスのメタタングステン酸アンモニウムフィルム基板は、主に支持的な役割を果たし、膜特性を向上させます。基板材料の性質、基板表面形狀は、一般にミクロンメートルの間の厚さを必要とする膜の特性に大きく影響し、基板上に成長させた膜を有し、したがって、基板表面の超平坦度を必要とするため;膜形成の初期段階中の2つの間の格子不整合は、長い遷移領域を形成する場合、したがって、膜と基板の組み合わせは、非常に重要な側面です。
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